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CHAPMAX / 大章光学

CM-OS500-UV 光谱仪

高分辨率光栅光谱仪（紫外可见型）
大章光学 CM-OS500-UV 为C-T型高分辨率光栅光谱仪，光谱范围 300 nm～1050 nm，适用于弱光、超快光学、材料与光电表征，以及瞬态发光源的光谱测试。
质保与服务整机质保 1 年 · 核心部件质保 2 年 · 终身维护
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应用方向：
光谱测试材料表征光电检测

技术参数

参数数值
光谱范围300 nm～1050 nm
光谱分辨率（典型值）0.05 nm（@2400 l/mm，典型值）
光谱分辨率（极限值）0.03 nm（@2400 l/mm，极限值）
波长最大允许误差±0.10 nm
波长测量重复性±0.05 nm
最小积分时间10 ns
技术背景C-T型自研光栅光谱仪，面向弱光、超快、材料与光电表征实验；支持国产化设备应用。
核心能力皮米级光谱分辨能力；闭环式光谱扫描反馈模式；用于超精细谱线识别与瞬态发光源光谱测试。
技术标准瞬态光谱仪校准规范 JJF1329-2011；
紫外、可见、近红外光谱仪检定规程 JJG（军工）216-2019；
红外光栅光谱仪 JJG（军工）285-2023；
可见到近红外成像光谱仪校准规范 JJF（军工）149-2017。

应用领域

应用方向适用说明
激光与超快光学激光器光谱表征：光纤激光、固体/钛宝石激光器、OPA、OPO、泵浦源、超连续谱、高次谐波、飞秒脉冲的光谱监测；用于激光杂散光、边带、荧光、ASE测试，以及DBD射流、LIBS配套光谱采集；适用于光量子、硅光、单光子源的宽谱发射、透射与反射表征。
材料科学与光电材料适用于光致发光（PL）、光吸收、透射/反射、散射及角分辨光谱测试；可用于半导体、第三代半导体、薄膜、纳米材料、钙钛矿、光伏材料的带隙与缺陷发光测试；支持黑体、光学涂层及散射/吸收样品的光学参数标定。
分析化学与环境光谱可用于原子发射、LIBS激光诱导击穿光谱，包括矿石、合金、危废的元素分析；也适用于荧光光谱、拉曼配套、溶液/气体吸收谱，以及大气、水体污染物的光学监测预实验。
生物与医药光学适用于生物荧光、组织光学、染料/荧光蛋白光谱表征，以及药物分子的紫外-可见/荧光测试；面向科研级弱光荧光与生物光子学课题，不替代常规定量紫外分光光度计。
航天、遥感、红外与光电标定适用于红外/可见光光源、黑体辐射谱、滤光片、光学窗口、光电探测器的标定测试；可用于遥感载荷、光电系统杂散光评估及光学元件透射/反射测试。
工业光电检测适用于LED、Mini/MicroLED、光源模组的光谱检测，光学元件出厂抽检，以及仪器模块集成配套。

CM-OS 系列型号对比

大章光学 CM-OS 高分辨率光栅光谱仪系列
以下为三个型号的核心技术参数对比，具体选型请结合波段、分辨率与积分时间确认。
型号光谱范围光谱分辨率波长最大允许误差波长测量重复性最小积分时间
CM-OS1000-UV200 nm～1050 nm典型 0.03 nm（@2400 l/mm）
极限 0.02 nm（@2400 l/mm）		±0.05 nm±0.005 nm10 ns
CM-OS500-UV300 nm～1050 nm典型 0.05 nm（@2400 l/mm）
极限 0.03 nm（@2400 l/mm）		±0.10 nm±0.05 nm10 ns
CM-OS500-NIR900 nm～1700 nm0.10 nm（@1200 l/mm）±0.10 nm±0.05 nm10 ms

参数来源：大章光学 CM-OS 系列技术规格资料。分辨率中“典型/极限”仅适用于资料明确标注的型号。